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集成電路高溫老化系統(tǒng),PCBA老化房

更新時間:2018-06-04      點擊次數(shù):4182

老化是一種試驗,用來篩選或排除少量因制造失常而導致固有缺陷或缺陷的設備,而這些缺陷會引發(fā)和時間和應力相關的故障。


為什么要老化?

 
可靠性專家經(jīng)常使用一個圖像來描述產(chǎn)品的壽命,這個圖像被稱作浴盆曲線。

 

浴盆曲線由三個階段組成:故障率減小的早期故障階段,接下來為正常壽命階段(也叫做有效壽命),故障率較低且相對穩(wěn)定,zui后為磨損階段,故障率是增加的。

 

很多類型的設備和系統(tǒng)在早期壽命中展示出固有的減少的故障率特性。相對較高的早期故障率通常歸因于生產(chǎn)過程中的固有不確定性。很長時間以來,老化已經(jīng)被認為是在交貨前檢測和消除部件或系統(tǒng)

早期故障的一種有效方法。沒有老化,缺陷部件可能就被交付到了用戶手中,導致昂貴的現(xiàn)場維修和名譽上的損害。


注意,老化并非是產(chǎn)品改進技術。對一些產(chǎn)品進行老化不能改善每個單元單獨的可靠性。然而,老化通過清除劣質(zhì)的部分來提高了整體的可靠性,使得單元總體更加可靠和均勻。老化同樣還會提供
造成早期故障的不同故障機理的重要信息,為監(jiān)控制造過程的質(zhì)量工程師和幫助分析導致早期故障機理出現(xiàn)的變化提供有價值的反饋。

 

對一電子部件進行老化試驗。在初始的試驗中,累積的故障百分比如下:

 
1、第1天有6%故障
 
2、第2天有10.1%故障

3、第3天有12%故障

4、第4天有13.8%故障

5、第5天有14.5%故障

6、第6天有15%故障

7、第7天有15.1%故障

  
老化就是藉由讓半導體進行超負荷工作而使缺陷在短時間內(nèi)出現(xiàn),避免在使用早期發(fā)生故障。如果不藉由老化,很多半導體成品由于器件和制造制程復雜性等原因在使用中會產(chǎn)生很多問題。


尚測生產(chǎn)的各種老化房符合標準:1.GB/T 2423.2—2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗B:高溫》;2、MIL-STD-883D、MIL-M-38510、GJB548、GJB597等試驗標準。


適用范圍:適用于各種封裝形式的大、中、小規(guī)模數(shù)字、模擬、數(shù)?;旌霞呻娐?,包括微處理器、邏輯電路、可編程器件、存儲器、A/D、D/A等器件的工作壽命試驗和高溫動態(tài)老化篩選。


一、集成電路高溫老化系統(tǒng)技術特點:

①  一板一區(qū),可滿足16種不同試驗參數(shù)的器件同時老化。

②  強大的圖形發(fā)生系統(tǒng),64路數(shù)字和2路模擬可編程信號。

③  完善的、種類齊全的老化器件數(shù)據(jù)庫可供用戶調(diào)用。


二、PCBA老化房技術性能


2.1、PCBA老化房試驗區(qū)域
 
16個 (一板一區(qū))
 
 8個 (一板一區(qū))
 

2.2、試驗容量
 
200×16=320位(以DIP14為例)
 
136×8=1088位(以DIP14為例)  
 

2.2.1、一級電源
 
8∽16臺25V/40A或40V/2等規(guī)格可選
 
4∽8臺25V/40A或40V/2等規(guī)格可選
 

2.2.2、二級電源
 
◆每個通道提供獨立程控的VCC、VMUX、VCLK、VEE四路二級電源。

◆每路二級電源具有過壓、欠壓、過流、短路和過熱等保護功能。

◆輸出能力:±1.00V~±18.00V/10A。

◆電源監(jiān)測:實時監(jiān)測記錄二級電源的電壓,并可生成圖形曲線,便于試驗監(jiān)控。
 

2.2..3、數(shù)字信號

◆每個通道:64路數(shù)字信號。

◆編程能力:編程深度256Kbit;zui小編程步長:100ns;編程分辨率:100ns;zui高信號頻率:5MHz。

◆尋址能力:可尋址64Gbit(老化ROM/SRAM等) A00~A35, 可尋址行列地址刷新器件64Gbit(老化DRAM/SDRAM等)AXX~A17,AYY:A00~A17。

◆信號特性:每路均具有數(shù)據(jù)、地址、控制、三態(tài)屬性編輯功能。

◆驅(qū)動能力:IOL≥300mA、IOH≥100mA、Tr≤50ns、Tf≤50ns。
 

2.2..4、集成電路高溫老化系統(tǒng)模擬信號
 
◆模擬信號數(shù):2路

◆波形類型:正弦波、三角波、前沿鋸齒波、后沿鋸齒波、矩形波。

◆模擬信號指標: 信號可編程頻率:1Hz~32KHz; 程控幅度范圍Vpp:0~±10V;

直流偏移量范圍Vdc:0~1/2 Vpp;編程步長: 0.01V;驅(qū)動能力:≥1.0A;

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